“英飞凌FF450R12KT4”参数说明 是否有现货: 是 品牌: 英飞凌infineon 类型: 增强型MOS管(N沟道) 材料: GE-N-FET锗N沟道 封装外形: P-DIT/塑料双列直插 用途: SW-REG/开关电源 导电方式: 增强型 型号: FF450R12KT4 “英飞凌FF450R12KT4”详细介绍 产品详细信息 IGBT 模块,Infineon Infineon 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换着称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅较 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅较驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。