infineon英飞凌 IKW75N60T

“infineon英飞凌 IKW75N60T”参数说明
是否有现货：	是	类型：	增强型MOS管(N沟道)
材料：	N-FET硅N沟道	封装外形：	P-DIT/塑料双列直插
用途：	SW-REG/开关电源	导电方式：	增强型
型号：	IKW75N60T	包装：	TO-247
“infineon英飞凌 IKW75N60T”详细介绍
本公司供应infineon英飞凌IKW75N60Tinfineon英飞凌 IKW75N60T 增强型 N沟道 结型JFET ，质量保证，欢迎咨询洽谈。英飞凌 IKW75N60T 大量现货  价格公道。     
产品描述：	DIODE HYPERFAST 600V 15A TO220F
参数	数值
系列	Stealth?
工作温度 - 结温	-65°C ~ 150°C
热阻	4.6°C/W Jc
封装/外壳	TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
不同 Vr、F 时的电容	-
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流	100?A @ 600V
反向恢复时间 (trr)	35ns
速度	Fast Recovery = 200mA (Io)
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)	2.6V @ 15A
二极管类型	Standard
电流 - 平均整流 (Io)	15A
电压 - DC 反向 (Vr)（较大值）	600V